W. Fu, Y. Wang, S. Hu, et al
摘要
基于密度泛函理论计算，研究了氢同位素离子通过原始和全氢化IV族单层材料的化学渗透行为和分离特性。研究了渗透能量分布和动力学同位素效应，以评估四种IV族（C，Si，Ge和Sn）单层材料的氢同位素分离性能。为检验这些单层材料在电化学水环境中的热力学稳定形貌，构建了随pH值和外部偏压变化的Pourbaix图。发现全氢化单层材料在某些条件下具有热力学有利性，其质子渗透和氢同位素分离行为与原始单层材料不同。发现硅烯是电化学环境下氢同位素分离的合适候选材料。